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鈣鈦礦電池激光刻蝕劃線設(shè)備

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更新時間:2023-02-09 09:53:29瀏覽次數(shù):793

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產(chǎn)品簡介

導(dǎo)電銀漿、ITO、FTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導(dǎo)電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、Perovskite、SnO2、C60、PCBM等鈣鈦礦電池材料激光刻蝕劃線處理

詳細(xì)介紹

可根據(jù)需求將整個加工部分置入手套箱內(nèi)加工


根據(jù)不同場景的需求,配置納秒脈寬的紅外光纖(1064nm)、綠光(532nm)波段光源;皮秒脈寬的紅外光纖(1064nm)、綠光(532nm)、紫外(355nm)波段光源;飛秒脈寬的紅外光纖(1030nm)、綠光(515nm)波段光源進(jìn)行微精細(xì)激光刻蝕、劃線、構(gòu)造去除、劃片、表面剝離等應(yīng)用。

 

適用于柔性PET/PI/PEN/玻璃等基底材料上的鈣鈦礦太陽能電池激光刻蝕劃線應(yīng)用。

 

玻璃、PETPI、PNT等基底上薄膜材料激光刻蝕,應(yīng)用于觸摸屏、光伏太陽能電池、電至色玻璃等行業(yè)。

 

適用于導(dǎo)電銀漿、ITOFTO、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎳、碳粉、金、銀、銅、鋁等導(dǎo)電金屬、石墨烯、碳納米管、氧化物、鈣鈦礦電池Spiro-OMeTAD、PerovskiteSnO2、C60PCBM等材料處理。特別是針對鈣鈦礦電池領(lǐng)域的陰電極、鈣鈦礦空穴傳輸層、阻擋層、鈣鈦礦層、陽電極激光刻蝕劃線技術(shù)上有獨(dú)到的技術(shù)優(yōu)勢。

 

采用自主研發(fā)的控制軟件、直接導(dǎo)入CAD 數(shù)據(jù)CCD相機(jī)定位自動激光刻蝕,操作簡單,方便快捷;采用通過軟件實時調(diào)節(jié)振鏡與直線電機(jī)、電動升降工作臺的設(shè)計,加上真空吸附托盤裝置,能有效地解決激光刻蝕加工運(yùn)行中的平穩(wěn)性。


設(shè)備集數(shù)控技術(shù)、激光技術(shù)、軟件技術(shù)等光機(jī)電高技術(shù)于一體,具有高靈活性、高精度、高速度等*制造技術(shù)的特征??纱蠓秶鷥?nèi)進(jìn)行各種圖案,各種尺寸的精密、高速刻蝕,并且能夠保證很高的產(chǎn)能,是一個可靠、穩(wěn)定和具有高性能價格比的產(chǎn)品。

 

主要構(gòu)成:激光器、光路系統(tǒng)、運(yùn)動控制系統(tǒng)、電控制系統(tǒng)、定位系統(tǒng)、抽塵系統(tǒng)、真吸附空系統(tǒng)、大理石龍門結(jié)構(gòu)、鈑金結(jié)構(gòu)件等。

 

型號

納秒紅外

ET650MIR

納秒綠光ET200MG

皮秒綠光/紫外

ET300MPS

飛秒紅外

ET300IRFS

實驗室用刻蝕機(jī)

ET200MIR

激光器

1064nm

532nm

532/355nm

1030nm

1064nm

波長/功率

20/30W

5/10W

10/15/30W

20W

20W

加工尺寸

100*100/200*200/300*300/400*300/600*600/600*900/700*1400mm可選

可定制加工幅面

110*110/140*140/

200*200mm可選

激光器頻率

1-2000KHz

30-150KHz

1-1000KHz

25-5000KHz

1-2000KHz

振鏡

10/14mm通光孔徑

10mm通光孔徑

聚焦鏡

40*40/70*70/110*110mm幅面(根據(jù)不同的應(yīng)用場景選擇)

100-200mm可選

擴(kuò)束鏡

2X

8X/10X

1.5X

聚焦光斑

30μm

30μm

10μm

50μm

最小線寬

30μm

30μm

10μm

50μm

可根據(jù)需要可全部去除鍍層材料,如P4清邊處理  

最小線間距

30μm

30μm

10μm

50μm

整機(jī)精度

±15μm

/

適用類型

均可兼容對柔性基底及玻璃基底表面材料處理

Z軸電機(jī)行程

50mm(自動軟件控制)

手動500mm

工作臺定位精度

±3μm

/

工作臺重復(fù)精度

±1μm

/

CCD相機(jī)定位精度

±3μm

/

刻蝕速度

刻蝕速度4000mm/s(單線)

設(shè)備尺寸/重量

1200*1200*1700mm200*200mm幅面內(nèi)) 1000Kg     大尺寸及雙光路

1550*1450*1750mm600*600mm幅面內(nèi)) 1800Kg    

1050*700*1660mmL*W*H 300Kg

設(shè)備功耗

2500W

3000W

1500W

設(shè)備文件格式

標(biāo)準(zhǔn)CAD DXF文件

DXF/PLT/JPG

對比

用于P1導(dǎo)電層ITO/FTO單層材料處理,部分材料刻處理多層,特別是對清邊處理具有速度優(yōu)勢

相比較于納秒紅外可對P1/P2/P3/

P4刻蝕劃線,可對ITO/FTO、鈣鈦礦功能層、金屬/碳電極層進(jìn)行刻蝕劃線

相比較于納秒紅外可對P1/P2/P3/

P4刻蝕劃線,可對ITO/FTO、鈣鈦礦功能層、金屬/碳電極層進(jìn)行刻蝕劃線。優(yōu)勢在刻蝕下一層對上一層的損傷小,刻蝕邊緣影響小,火山口小

與皮秒脈寬波段相似,根據(jù)不同的場景選擇

只能針對單層材料刻蝕,可根據(jù)需要定制小型化產(chǎn)品幅面100-200mm

備注:量產(chǎn)后一般采用多種波段激光配合使用,非單臺機(jī)器完成所有膜層制作。











 


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