產(chǎn)品型號

GSL-CKJS-450-B1磁控濺射

安裝條件

本設備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水：設備配有自循環(huán)冷卻水機（加注純凈水或者去離子水）

2、電：AC380V 50Hz，必須有良好接地

3、氣：設備腔室內需充注氮/氬氣（純度99.99%以上），需自備實驗氣體氣瓶（自帶Ø10mm雙卡套接頭）及減壓閥

4、場地：設備尺寸3500×1600mm，承重1000kg以上

5、通風裝置：需要

主要特點

1、真空度高。

2、可制備多種薄膜，金屬、半導體、絕緣體等，應用廣泛。

3、體積小，操作簡便。

4、清理安裝便捷。

5、控制可選一體化觸摸屏控制

技術參數(shù)

1、主濺射室尺寸：Ø450×355mm筒形真空室

2、主濺射室真空度：5×10-5Pa

3、永磁靶3套，靶材尺寸φ2″，各靶射頻與直流濺射兼容（其中1個靶可濺射鐵磁材料），靶與樣品距離90-110mm可調

4、三靶共濺，三個靶可共同折向樣品中心，距離40-80mm可調

5、基片加熱與水冷獨立工作，加熱爐可與水冷樣品臺可互換，加熱工位高溫度 600℃±1℃

6、樣品尺寸：φ1″

7、樣品臺可連續(xù)回轉，轉速5-15轉/分

8、基片可加-200V負偏壓

9、公轉6工位樣品臺，可一次性安裝6片φ1″基片，拆下水冷加熱樣品臺可換上6工位樣品臺，其中5個工位為自然冷卻工位，1個加熱工位，加熱工位溫度 600℃±1℃

產(chǎn)品規(guī)格

整機尺寸：1500×900mm×2000mm；

標準配件

1

電源控制系統(tǒng)

1套

2

真空獲得系統(tǒng)

1套

3

真空測量裝置

1套