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活動專題 《方案》涵蓋突破產業(yè)關鍵技術；加快中試轉化進程；建設創(chuàng)新平臺體系；推動產業(yè)集聚發(fā)展；大力培育領軍企業(yè)；加強合作協(xié)同創(chuàng)新；關鍵材料裝備攻關工程；產業(yè)強鏈補鏈建設工程；核心產品示范應用工程；前沿技術產業(yè)培育工程等多方面具體工作。
《方案》明確，力爭到2030年取得10項以上光芯片領域關鍵核心技術突破，打造10個以上“拳頭”產品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領軍企業(yè)，建設10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺，培育形成新的千億級產業(yè)集群，建設成為具有全球影響力的光芯片產業(yè)創(chuàng)新高地。
在重點任務方面，要加快突破產業(yè)關鍵技術。強化光芯片基礎研究和原始創(chuàng)新能力。鼓勵有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算、超高速光子網絡、柔性光子芯片、片上光學神經網絡等未來前沿科學問題開展基礎研究。支持科技領軍企業(yè)、高校、科研院所積極承擔國家級光芯片相關重大攻關任務，形成一批硬核成果。
省重點領域研發(fā)計劃支持光芯片技術攻關。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導體材料、硅光集成技術、柔性集成技術、磊晶生長和外延工藝、核心半導體設備等方向的研發(fā)投入力度，著力解決產業(yè)鏈供應鏈的“卡點”“堵點”問題。
加大“強芯”工程對光芯片的支持力度。擴大省級科技創(chuàng)新戰(zhàn)略專項、制造業(yè)當家重點任務保障專項等支持范圍，將面向集成電路產業(yè)底層算法和架構技術的研發(fā)補貼、量產前首輪流片獎補等產業(yè)政策，擴展至光芯片設計自動化軟件(PDA工具)、硅光MPW流片等領域，強化光芯片領域產品研發(fā)和產業(yè)化應用。
加快中試轉化進程。加快建設一批概念驗證中心、研發(fā)先導線和中試線。支持企業(yè)、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、紅外光傳感芯片、高性能通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰、化合物半導體、硅基(異質異構)集成、光電混合集成等領域，建設概念驗證中心、研發(fā)先導線和中試線，加快科技成果轉化進程。
支持中試平臺積極發(fā)揮效能。支持中試平臺圍繞光芯片相關領域，向中小企業(yè)提供原型制造、質量性能檢測、小批量試生產、工藝放大熟化等系列服務，推動新技術、新產品加快熟化。鼓勵綜合性專業(yè)化中試平臺為光芯片領域首臺套裝備、首批次新材料等提供驗證服務，符合條件的依法依規(guī)給予一定政策和資金支持。
鼓勵中試平臺孵化更多創(chuàng)新企業(yè)。鼓勵中試平臺搭建眾創(chuàng)空間、孵化器、加速器等各類孵化載體，并通過許可、出售等方式將成熟技術成果轉讓給企業(yè)，或將部分成果通過設立子公司的方式實現(xiàn)商業(yè)化，孵化培養(yǎng)更多光芯片領域新物種企業(yè)。
在關鍵材料裝備攻關工程方面：加快開展光芯片關鍵材料研發(fā)攻關。大力支持硅光材料、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰、氧化鎵薄膜、電光聚合物、柔性基底材料、超表面材料、光學傳感材料、電光拓撲相變材料、光刻膠、石英晶體等光芯片關鍵材料研發(fā)制造。
推進光芯片關鍵裝備研發(fā)制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數網絡測試儀等光芯片關鍵裝備研發(fā)和國產化替代。落實工業(yè)設備更新改造政策，加快光芯片關鍵設備更新升級。
支持光芯片相關部件和工藝的研發(fā)及優(yōu)化。大力支持收發(fā)模塊、調制器、可重構光神經網絡推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發(fā)和產業(yè)化。支持硅光集成、異質集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。
在核心產品示范應用工程方面：加強光芯片產品示范應用。大力支持光芯片在新一代信息通信、數據中心、智算中心、生物醫(yī)藥、智能網聯(lián)汽車等產業(yè)的場景示范和產品應用。培育更多應用場景，加大光芯片產品在信息傳輸、探測、傳感等領域的應用，推動相關領域半導體產品升級換代。
在前沿技術產業(yè)培育工程方面：圍繞光芯片前沿理論和技術問題開展基礎攻關和研發(fā)布局。支持企業(yè)、高校、研究機構等圍繞光神經網絡芯片、光量子芯片、超靈敏光傳感探測芯片、光電異質異構混合集成芯片、微腔光電子芯片、冪次增長算力光芯片等技術領域研發(fā)布局，努力實現(xiàn)原理性突破、原始性技術積累和開創(chuàng)性突破。
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